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掌握MRAM的最新发展
PCB设计公司的Bill Wong与Everspin总裁兼首席执行官Kevin Conley讨论了未来的通用存储器MRAM。
磁阻RAM（MRAM）继续取得长足发展，随着容量和性能的提高，发现了更多用途。长期目标是建立通用的非易失性存储器。它拥有不断发展的合作伙伴生态系统，包括主要晶圆厂的支持。
电子设计编辑Bill Wong曾与Kevin Conley，总裁兼首席执行官EverSpin的技术，对MRAM的状态以及它作为通用存储器技术可行性。
MRAM是更昂贵的持久性内存。它提供什么价值来证明其价格标签合理？比什么还贵？
Toggle MRAM与其他低密度持久性内存技术相比在价格上具有竞争力，而STT-MRAM确实没有等效技术可提供相同水平的耐用性，性能和持久性。MRAM结合了持久性，性能和耐用性的独特价值主张，达到了任何其他存储技术都无法企及的程度，再加上无可挑剔的可靠性和易操作性（字节可寻址性，无需耗损均衡等）。MRAM简化了系统架构，其中在发生断电时对数据进行保护至关重要，从而消除了对电池和超级电容器等可靠性较低的电力存储的需求。
通常将STT-MRAM与DRAM进行逐位成本比较，并称其为昂贵，但需要认识到STT-MRAM通常不用于代替DRAM。STT-MRAM的经济效益是减少了不可靠的电容器或电池的使用，增加了其他存储技术（例如，SSD或AFA中的NAND存储器）的可用物理空间，并有助于在较短的时间内实现更高性能的产品时间框架通过更简单的架构。所有这些价值驱动因素可帮助我们的客户在其产品中获得更多价值，从而抵消了集成我们的MRAM存储器所产生的任何费用。
您提到您已经在1-Gb离散STT-MRAM上达到量产，现在有几个生态系统控制器合作伙伴已签约启用该设备。为什么合作伙伴对支持1-Gb STT-MRAM感到如此兴奋？
更高的密度允许企业SSD等应用程序使用更少的芯片来实现其系统目标。随着存储外形尺寸和尺寸的不断减小，电路板空间和系统冷却变得越来越关键，从而进一步需要更高密度的芯片。 低延迟和高性能的这些目标对于大型数据中心操作非常重要，尤其是当具有延迟的QLC存储器（明显高于当前存储器）开始在领先的存储应用中被更普遍地采用时。此外，1-Gb设备的基于DDR4的接口比256-Mb的DDR3更流行，这使得1-Gb在当今的体系结构中更具适应性。
由于Everspin是离散MRAM的供应商，您的竞争对手在进入这一领域做了什么？
一些公司试图跟着我们生产离散的MRAM存储器，但是它们在产品成熟度和密度上却明显落后。当今，我们不知道有其他任何公司正在生产分立的MRAM产品。尽管竞争对手正在营销他们打算制造的未来技术，但到目前为止，我们所知道的针对千兆密度范围的产品还一无所知。
从历史上看，越来越多的公司投资于MRAM研究。 一些尝试没有成功，努力已经停止或缩减，只是为了维持生命，而另一些尝试则专门转移到了嵌入式MRAM上。
嵌入式MRAM无疑是对MRAM作为普遍的存储技术的验证。谁来负责这项工作，Everspin如何帮助嵌入式MRAM市场？
逻辑代工厂需要一种技术来取代SoC嵌入式NOR闪存作为非易失性代码存储，并面临无法有效扩展（成本）和增加功率的SRAM的挑战。MRAM具有比NOR闪存更易集成的非易失性，并且具有低泄漏的扩展路径，使其成为SRAM的逻辑后继产品。所有主要代工厂都已与台积电，三星，英特尔和GF宣布了MRAM计划（TSMC，三星，英特尔，GLOBALFOUNDRIES / GF，UMC），宣布生产准备就绪或出货。Everspin与GF达成了许可协议并建立了牢固的合作伙伴关系，并共同帮助开发了其22纳米嵌入式MRAM产品。
STT-MRAM和Toggle的新发展是什么？
STT-MRAM产品继续扩大规模并增加密度。Everspin现在提供1 Gb内存，具有10年的数据保留能力，具有DDR4兼容接口和类似DRAM的速度。为了响应客户对更高密度的需求，我们在Toggle上推出了流行的16 Mb产品的32 Mb版本。现在，客户在包括汽车在内的所有温度范围内都具有从128 kb到32 Mb的MRAM Toggle选项。STT和Toggle服务于独特的市场，我们将继续开发两种技术的产品，以服务于现有和新客户。
时刻掌握通用存储器的发展，对PCB设计和电子电路设计提供新的思路，更有利于电子行业的发展。