24小(xiǎo)时联系電(diàn)话:18217114652、13661815404
中文(wén)
- 您当前的位置：
- 首页>
- 電(diàn)子资讯>
- 公司新(xīn)闻>
- 超高密度离線(xiàn)電(diàn)源解决...
公司新(xīn)闻
超高密度离線(xiàn)電(diàn)源解决方案降低损耗
超高密度离線(xiàn)電(diàn)源解决方案降低损耗
在传统的 PFC 電(diàn)路中，整流桥二极管在 240 W 電(diàn)源中的损耗约為(wèi) 4 W，约占总损耗的 20%。PFC 级的效率通常為(wèi) 97%，LLC 電(diàn)路实现了类似的性能(néng)。
然而，新(xīn)的 NCP1680 临界导通模式 (CrM) 图腾柱 PFC 控制器解决方案专為(wèi)超高密度离線(xiàn)電(diàn)源设计，可(kě)以在“图腾柱”配置中用(yòng)开关代替有(yǒu)损二极管，并引入升压 PFC 功能(néng)以减少桥损耗，显着提高整體(tǐ)效率。此外，NCP1680 可(kě)以适应任何开关类型，无论是超结硅 MOSFET 还是宽带隙开关，如碳化硅 (SiC) 或氮化镓 (GaN) 器件。
新(xīn)的 NCP1680 CrM 图腾柱 PFC 控制器采用(yòng)新(xīn)颖的電(diàn)流限制架构和線(xiàn)路相位检测，同时结合了经过验证的控制算法，可(kě)在不影响性能(néng)的情况下提供具有(yǒu)成本效益的图腾柱 PFC 解决方案。该 IC 的核心是内部补偿数字环路控制。该创新(xīn)器件采用(yòng)具有(yǒu)谷值开关的恒定导通时间 CrM 架构。由于内置的非连续传导模式 (DCM) 在频率折返操作期间具有(yǒu)谷值同步开启，因此也可(kě)以满足现代效率标准，包括那些需要在轻负载下具有(yǒu)高效率的标准。
这种高度集成的设备可(kě)以支持電(diàn)信 5G、工业和高性能(néng)计算的電(diàn)源设计，在通用(yòng)電(diàn)源 (90 – 265 Vac) 下以高达 350 W 的推荐功率水平运行。在 230 Vac 電(diàn)源输入下，PFC 電(diàn)路基于NCP1680 在 300 W 时可(kě)实现接近 99% 的效率。此外，通过减少组件数量，无需霍尔效应传感器即可(kě)实现逐周期電(diàn)流限制。
根据為(wèi)图腾柱快速支路选择的开关技术，NCP1680 可(kě)与 NCP51820 半桥 GaN HEMT 栅极驱动器或 NCP51561 隔离式 SiC MOSFET 栅极驱动器一起使用(yòng)，后者是具有(yǒu) 4.5 A 源的隔离式双通道栅极驱动器和 9 A 吸收峰值電(diàn)流能(néng)力。新(xīn)器件适用(yòng)于硅功率 MOSFET 和基于 SiC 的 MOSFET 器件的快速开关，提供短且匹配的传播延迟。两个独立的 5 kVRMS（UL1577 级）電(diàn)隔离栅极驱动器通道可(kě)用(yòng)作两个低侧、两个高侧开关或具有(yǒu)可(kě)编程死區(qū)时间的半桥驱动器。启用(yòng)引脚将同时关闭两个输出，并且 NCP51561 提供其他(tā)重要的保护功能(néng)，例如用(yòng)于两个栅极驱动器和启用(yòng)功能(néng)的独立欠压锁定 (UVLO)。