单片机开发模拟IC设计

2020-12-07

模拟IC设计与数字IC设计

模拟IC设计与数字IC设计有(yǒu)很(hěn)大不同。在数字IC设计大多(duō)是在抽象的层次上完成的系统和过程中，确定栅极/晶體(tǐ)管级布局和布線(xiàn)的细节的地方，模拟IC设计通常将更多(duō)的个性化焦点集中在每个電(diàn)路上，甚至包括每个電(diàn)路的尺寸和细节。

晶體(tǐ)管。

同样，许多(duō)铸造工艺主要是為(wèi)具有(yǒu)模拟功能(néng)的数字IC开发的，这就要求模拟IC设计人员应对工艺限制和更适合数字IC的功能(néng)进行工作。

模拟设计团队通常从一组规范和功能(néng)入手，就像数字IC设计一样。从那里开始，可(kě)以使用(yòng)各种功能(néng)的功能(néng)模型进一步缩小(xiǎo)约束条件，并做出有(yǒu)关设备尺寸，类型和其他(tā)过程功能(néng)的决策。这可(kě)能(néng)包括晶體(tǐ)管的选择，高层布局，電(diàn)感器和電(diàn)容器技术的加入以及IC和子電(diàn)路的理(lǐ)想品质因数。

诸如VHDL-AMS之类的體(tǐ)系结构硬件描述语言（AHDL）用(yòng)于执行高层仿真并确定子块的约束。虽然模拟设计人员也经常為(wèi)其子電(diàn)路设计开发测试台，但也可(kě)以在此阶段开发一个测试台，随后将其用(yòng)于仿真。

電(diàn)路设计，物(wù)理(lǐ)布局和仿真

有(yǒu)了这些详细信息并根据模拟電(diàn)路的复杂性，模拟设计团队通常会将子電(diàn)路设计分(fēn)配给个人。进行了理(lǐ)想的宏级测量，可(kě)以进一步确定子電(diàn)路的约束和性能(néng)期望。

然后，将这些宏示意图分(fēn)解為(wèi)示意图，并使用(yòng)从铸造过程中建模的電(diàn)路元件。对这些電(diàn)路进行仿真和优化，然后开始物(wù)理(lǐ)布局过程。在进行寄生提取和布局后仿真之前，先进行布局和布線(xiàn)，然后进行设计规则检查（DRC）和布局与原理(lǐ)图。

布局后的仿真可(kě)能(néng)会揭示设计中的缺陷，并且可(kě)能(néng)需要重新(xīn)设计，布局和仿真的迭代过程才能(néng)达到最终的设计目标，并将IC提交流片。子電(diàn)路也可(kě)能(néng)在整个芯片布局和仿真之前经历其自己的设计，布局和仿真过程，尽管这两种方法都可(kě)能(néng)导致需要在流片之前重新(xīn)设计電(diàn)路。

 模拟抽象水平

以下是模拟IC设计过程的抽象级别：

功能(néng)性

行為(wèi)的

巨集

電(diàn)路图

晶體(tǐ)管

物(wù)理(lǐ)布局

模拟IC设计流程

与模拟IC设计相关的具體(tǐ)步骤可(kě)以分(fēn)為(wèi)以下几类：

设计规范

技术指标

约束条件

拓扑结构

测试台开发

原理(lǐ)图流程

系统级原理(lǐ)图输入

架构HDL仿真

块HDL规范

電(diàn)路级原理(lǐ)图输入

電(diàn)路仿真与优化

物(wù)理(lǐ)流量

基于PCell的布局条目

设计规则检查（DRC）

布局与原理(lǐ)图（LVS）

寄生提取

布局后模拟

出带