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超低功耗 SRAM IP 面向物(wù)联网、可(kě)穿戴 SoC
超低功耗 SRAM IP 面向物(wù)联网、可(kě)穿戴 SoC
超低功耗内存专家sureCore正在招聘在内存设计方面拥有(yǒu)10年或以上经验的工程师。其嵌入式 SRAM IP 面向服務(wù)于可(kě)穿戴和物(wù)联网 (IoT) 应用(yòng)且对功耗、散热和電(diàn)池寿命敏感的片上系统 (SoC) 设计。
这家总部位于英國(guó)謝(xiè)菲尔德的公司声称，其专门设计的 SRAM IP 可(kě)以将内存功率需求降低多(duō)达 50%，这对于越来越智能(néng)的可(kě)穿戴设计至关重要。另一方面，使用(yòng)现成的内存会消耗可(kě)穿戴设备高达 50% 的可(kě)用(yòng)功率预算。
超低功耗内存专家sureCore正在招聘在内存设计方面拥有(yǒu)10年或以上经验的工程师。其嵌入式 SRAM IP 面向服務(wù)于可(kě)穿戴和物(wù)联网 (IoT) 应用(yòng)且对功耗、散热和電(diàn)池寿命敏感的片上系统 (SoC) 设计。
这家总部位于英國(guó)謝(xiè)菲尔德的公司声称，其专门设计的 SRAM IP 可(kě)以将内存功率需求降低多(duō)达 50%，这对于越来越智能(néng)的可(kě)穿戴设计至关重要。另一方面，使用(yòng)现成的内存会消耗可(kě)穿戴设备高达 50% 的可(kě)用(yòng)功率预算。
图 1 SRAM IP 细分(fēn)為(wèi)多(duō)达八种系统友好的睡眠模式，这些模式可(kě)以处于独立的活动、保留或断電(diàn)模式。
由于支持运行众多(duō)软件应用(yòng)程序的多(duō)个处理(lǐ)器，嵌入式存储器在现代 SoC 设计中变得越来越普遍。然而，SRAM 历来是耗電(diàn)的，这使得它对可(kě)穿戴電(diàn)子设备和物(wù)联网应用(yòng)的开发人员没有(yǒu)吸引力。sureCore 所做的是通过其先进的電(diàn)路设计技术套件显着降低动态和静态功耗。
以经过硅验证的 SRAM EverOn 技术為(wèi)例。它将操作扩展到接近阈值電(diàn)压，实际限制是位单元保持電(diàn)压。对于更低的電(diàn)压操作，MiniMiser 寄存器文(wén)件技术直接跟踪逻辑提供的最小(xiǎo)操作電(diàn)压。当只需要低水平的计算时，这些内存解决方案会降低运行能(néng)力。
图 2虽然标准 SRAM 在低于 0.9 V 时不可(kě)靠，但单電(diàn)源轨、超低功耗 SRAM 允许工作電(diàn)压与逻辑同步调整。
该公司提供定制内存设计服務(wù)以及超低功耗物(wù)联网参考平台，以展示其面向内存的技术。在人工智能(néng) (AI) 智能(néng)要求芯片上有(yǒu)更多(duō)内存的时候，有(yǒu)趣的是，像 sureCore 这样的公司正在挑战传统 SRAM 架构的基本限制，以获得更高效的内存解决方案。