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技术专题
低压CMOS时钟振荡器针对電(diàn)池供電(diàn)的设计
低压CMOS时钟振荡器针对電(diàn)池供電(diàn)的设计
如今，已开发出数十亿个電(diàn)子设备来满足消费者的需求。随着技术的发展，设备需要在越来越低的電(diàn)压下运行，这意味着系统可(kě)能(néng)需要具有(yǒu)多(duō)个電(diàn)源轨。由于采用(yòng)了IQD，在这些低電(diàn)压下运行的一系列频率产品，為(wèi)系统设计人员提供了开发具有(yǒu)公共電(diàn)源轨的系统的机会。这种方法可(kě)产生可(kě)靠的PCBA，在实现设计目标的同时，通过减少组件数量来支持PCB的小(xiǎo)型化。
IQD的低压CMOS时钟振荡器的JEDEC标准電(diàn)压等级為(wèi)0.9 V，1.2 V和1.5 V的CMOS器件。IQXO-691系列振荡器非常适合需要延長(cháng)電(diàn)池寿命的设计，包括用(yòng)于安全性的机身摄像头服務(wù)，数码相机，个人导航设备（PND），便携式音频播放器，便携式测试设备以及USB接口，WLAN和可(kě)穿戴应用(yòng)程序。
时钟振荡器有(yǒu)四种行业标准封装：2.5 x 2.0 mm，3.2 x 2.5 mm，5.0 x 3.2 mm和7.0 x 5.0 mm。此外，IQXO-691系列的频率稳定性在-20至70°C的工作温度范围内低至±20 ppm，在-40至85°C的工作温度范围内低至±25 ppm。