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行业资讯
东芝Cortex-M MCU新(xīn)路線(xiàn)图
东芝透露了其Arm Cortex-M微控制器计划，宣布200MHz（254 DMIPS）40nm部件“比现有(yǒu)的65nm器件功耗降低约30％”，并宣布采用(yòng)SONOS内存的130nm部件。
该系列分(fēn)為(wèi)两个设备类：
使用(yòng)Arm Cortex-M3或带浮点单元（FPU）的Cortex-M4，在40nm处具有(yǒu)TXZxA +（“高端”為(wèi)A）。采用(yòng)Arm Cortex-M0，Cortex-M3或Cortex-M4内核，SONOS存储器而非闪存的130nm CMOS中的TXZxE +（E表示“输入”）。
该公司表示：“通过东芝原始IP模块的丰富，这些设备适用(yòng)于各种目标应用(yòng)，例如家用(yòng)電(diàn)器，工业和電(diàn)机控制应用(yòng)以及通信和数据处理(lǐ)。”
该 TXZxA +阵容将是“功能(néng)对准引脚兼容现有(yǒu)的65nm TXZ设备使客户能(néng)够无缝地迁移到新(xīn)的微控制器系列”，东芝表示。
功能(néng)将包括一个内置的高精度振荡器（尚未指定精度）和一个不需要外部電(diàn)容器的单電(diàn)源调节器。
提供给《電(diàn)子周刊》的信息也提到了“前置驱动器”，而没有(yǒu)进一步说明-东芝通常使用(yòng)该短语来描述mosfet栅极驱动器，以驱动继续驱动電(diàn)动机或d继電(diàn)器的外部mosfete-寻求澄清。
该公司表示，通用(yòng)的寄存器图和家庭内部足迹兼容性将简化设计和重复使用(yòng)。
最初的工程样品计划于今年第三季度提供，然后在2021年第二季度提供客户样品并进行批量生产。
TXZxE + 部件将用(yòng)于基本控制应用(yòng)，并由东芝子公司日本半导體(tǐ)公司制造。他(tā)们将成為(wèi)首批使用(yòng)氧化硅，氮化硅，氧化硅（SONOS）非易失性存储器而非闪存的东芝MCU。
该公司与Floadia合作开发了这种内存，这就是Floadia的G1 SONOS，据说它的闪存泄漏较少。初始工程样品计划于第二季度进行，而客户样品和批量生产计划于2020年第四季度进行。至少，在恶劣的工业环境中，某些TXZ +部件的额定工作温度可(kě)达+ 125°C。
备注：68µA / MHz，而现有(yǒu)TMPM4G9F15FG為(wèi)100µA / MHz。