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技术专题
PCB设计关于MEC及EMI总结
EMI指的是電(diàn)子系统对外界所产生電(diàn)磁辐射或干扰的强度。
EMC指的是对電(diàn)子产品在電(diàn)磁场方面干扰大小(xiǎo)(EMI)和抗干扰能(néng)力(EMS)。
電(diàn)磁干扰、噪声产生和信号传输不良是造成電(diàn)子線(xiàn)路故障的主要原因。据估计,由原型PCB電(diàn)路的電(diàn)磁干扰(EMI)引起的故障率高达50%。较差的電(diàn)路设计是导致不必要電(diàn)磁辐射或易感性的最终原因。5G的到来将进一步推动未来几年对无EMI PCB的需求。
下面我们探讨PCB设计中如何避免MEI的产生和MEC兼容性问题:
一、 電(diàn)源線(xiàn)布局
1、根据電(diàn)源電(diàn)流大小(xiǎo),计算出布線(xiàn)宽度,并尽可(kě)能(néng)加宽。
2、電(diàn)源線(xiàn)和地線(xiàn)的方向应与数据传输方向一致。
3、在電(diàn)源的输入端加上解耦電(diàn)容,一般设置為(wèi)10~100uF。
二、地線(xiàn)布局
1、数字地和模拟地进行分(fēn)离
数字地和模拟地最终要连接在一起,有(yǒu)四种方法解决此问题:① 用(yòng)磁珠连接;②用(yòng)電(diàn)容连接;③用(yòng)電(diàn)感连接;④用(yòng)0欧姆電(diàn)阻连接。
磁珠,等效電(diàn)路相当于带阻限波器,只对某个频点的噪声有(yǒu)抑制作用(yòng),使用(yòng)时需要预先估计噪声频率,以便选用(yòng)适当型号。对于频率不确定或无法预知的情况,用(yòng)磁珠连接不合理(lǐ)。
電(diàn)容,隔直通交,造成浮地,没效果。
電(diàn)感,體(tǐ)积较大,杂散参数多(duō),不稳定。
0欧電(diàn)阻,相当于很(hěn)窄的電(diàn)流通路,能(néng)够有(yǒu)效地限制环路電(diàn)流,使噪声得到抑制。電(diàn)阻在所有(yǒu)频带上都有(yǒu)衰减作用(yòng)(0欧電(diàn)阻也有(yǒu)阻抗),这点比磁珠强。
2、接地線(xiàn)尽量加宽或加厚,使其能(néng)通过计算出電(diàn)流的3倍,一般我2~3mm。
3、地線(xiàn)应尽量形成死循环回路,减小(xiǎo)地線(xiàn)压差。
三、解耦電(diàn)容
1、為(wèi)每个IC的VCC和GND都并联一个0.01uF~0.1uF陶瓷電(diàn)容。
2、抗噪声能(néng)力弱、关断電(diàn)流变化大的器件,及ROM和RAM,在VCC和GND间并联電(diàn)容,进行解耦。
3、单片机的Reset引脚加0.01uF解耦電(diàn)容。
4、解耦電(diàn)容的走線(xiàn)不能(néng)太長(cháng),特别是高频旁路電(diàn)容的走線(xiàn)。
5、電(diàn)源的输入端加上解耦電(diàn)容,一般设置為(wèi)10~100uF。
電(diàn)源与集成電(diàn)路之间的解耦電(diàn)容有(yǒu)两方面作用(yòng):①集成電(diàn)路储能(néng)電(diàn)容;②绕过器件的高频噪声。
一般情况下,解耦電(diàn)容的大小(xiǎo)為(wèi)C=1/F,F為(wèi)数据传输频率,0.1uF对应10Mhz,0.01对应100Mhz。典型的解耦電(diàn)容是0.1uF,其分(fēn)布電(diàn)感典型值是5uH,并联共振频率是7Mhz。也就是说对10Mhz一下的噪声有(yǒu)良好解耦效果,对于40Mhz以上的噪声几乎没有(yǒu)什么作用(yòng)。解耦電(diàn)容的管教尽量短,長(cháng)引脚会引起解耦電(diàn)容自谐振。例如:当1nF陶瓷贴片電(diàn)容引脚長(cháng)6.3mm时,其自谐振频率是35Mhz,当引脚長(cháng)度我12.6mm时,自谐振频率约為(wèi)32Mhz。
四、器件布置
1、晶振、时钟、CPU时钟输入端等尽量遠(yuǎn)离其他(tā)低频器件;
2、大電(diàn)流走線(xiàn)和信号走線(xiàn)尽量遠(yuǎn)离逻辑電(diàn)路器件;
3、pcb電(diàn)路板在机箱中运行时,发热器件尽量放在机箱的顶部。
五、PCB抗干扰设计
1、IO驱动線(xiàn)采用(yòng)串联電(diàn)阻法,降低控制電(diàn)路電(diàn)位上下跳变速度,减少信号反射;
2、时钟線(xiàn)的周围用(yòng)地線(xiàn)包裹,以及时钟線(xiàn)尽量的短;
3、I/O驱动電(diàn)路尽可(kě)能(néng)的靠近PCB板的边缘,对进入PCB板的信号进行滤波,对来自高噪声區(qū)的信号进行滤波;
4、对未使用(yòng)的门電(diàn)路输出端不应挂起。未使用(yòng)的运放電(diàn)路的正输入接地,负输入接在输出端上;
5、尽量使用(yòng)45度折線(xiàn)代替90度折線(xiàn),减少高频信号的外部传输和耦合;
6、采用(yòng)垂直布線(xiàn),垂直于I/O線(xiàn)的时钟線(xiàn)小(xiǎo)于平行于IO線(xiàn)的时钟干扰;
7、元器件的引脚引線(xiàn)尽可(kě)能(néng)的短,降低耦合或干扰;
8、不要在石英晶振或易受干扰的器件下面布線(xiàn);
9、不要在弱信号或低频信号的周围形成電(diàn)流回路。
六、其它
1、总線(xiàn)加上10K上拉或下拉電(diàn)阻,抗干扰比较好;
2、每个地址線(xiàn)的線(xiàn)長(cháng)尽可(kě)能(néng)的短,抗干扰比较好;
3、对于2层PCB板,两侧的布線(xiàn)尽量垂直;
4、未使用(yòng)的引脚通过上拉電(diàn)阻(约10K)连接到GND或VCC引脚上;
5、发热的元件尽量离开IC、晶振、電(diàn)解電(diàn)容等容易受到影响的器件;
6、抑制大功率器件对单片机等数字器件的干扰及数字電(diàn)路对模拟電(diàn)路的干扰,用(yòng)高频扼流線(xiàn)圈连接模拟地和数字地。
7、電(diàn)源線(xiàn)、交流線(xiàn)、信号線(xiàn)要做到分(fēn)离开。電(diàn)源線(xiàn)和交流線(xiàn)尽量另布一个PCB板。
8、一个过孔引起大约0.6pF的電(diàn)容,一个集成電(diàn)路的封装材料引起2-10pF的分(fēn)布電(diàn)容,一个接插件引起约有(yǒu)520uF的分(fēn)布電(diàn)感,一个双列直插24引脚的集成電(diàn)路插座引起4-18uF的分(fēn)布電(diàn)感。