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技术专题
用(yòng)于功率转换的新(xīn)型增强型栅极驱动器
用(yòng)于功率转换的新(xīn)型增强型栅极驱动器
通过消除复杂的栅极控制和電(diàn)路布局挑战，简化了使用(yòng)宽带隙GaN功率半导體(tǐ)的设计。
它集成了两个具有(yǒu)225mΩRDS（on）的对称650V氮化镓（GaN）功率晶體(tǐ)管，以及优化的栅极驱动器和電(diàn)路保护，可(kě)简化高达200W的高效功率转换应用(yòng)的设计。
3.3V至15V的输入電(diàn)压容差允许通过将封装直接连接到霍尔效应传感器或CMOS器件（例如微控制器，DSP或FPGA）来控制MasterGaN4。
利用(yòng)GaN晶體(tǐ)管卓越的开关性能(néng)所带来的更高工作频率，以及提高的效率来降低散热，设计人员现在可(kě)以选择小(xiǎo)型磁性元件和散热器，以构建更紧凑，更轻便的電(diàn)源，充電(diàn)器和适配器。
MasterGaN4非常适合用(yòng)于对称半桥拓扑以及软开关拓扑，例如有(yǒu)源钳位反激式和有(yǒu)源钳位正激式。宽電(diàn)源電(diàn)压范围為(wèi)4.75V至9.5V，可(kě)方便地连接到现有(yǒu)電(diàn)源轨。内置保护功能(néng)进一步简化了设计，包括：
门驱动器互锁
低侧和高侧欠压锁定（UVLO）
过热保护
还有(yǒu)一个专用(yòng)的关断引脚。
意法半导體(tǐ)还推出了专用(yòng)的原型板（EVALMASTERGAN4），该板提供了一套完整的功能(néng)，可(kě)通过单个或互补的驱动信号来驱动MasterGaN4。还提供了一个可(kě)调的死區(qū)时间发生器。该板可(kě)灵活地施加一个单独的输入信号或PWM信号，插入一个外部自举二极管，分(fēn)离逻辑和栅极驱动器電(diàn)源轨，以及使用(yòng)一个低侧并联電(diàn)阻器来实现峰值電(diàn)流模式拓扑。
MasterGaN4现在采用(yòng)9mm x 9mm x 1mm GQFN封装生产，爬電(diàn)距离超过2mm，可(kě)在高压应用(yòng)中安全使用(yòng)。