電(diàn)路设计行业的历史

2020-03-03

1965年中國(guó)第一块硅基数字集成電(diàn)路研制成功，从此以后中國(guó)集成電(diàn)路设计产业发开了新(xīn)的一篇，一路走来，伴随着中國(guó)集成電(diàn)路设计发展的黄金时代。

1968年上海无線(xiàn)電(diàn)十四厂首家制造PMOS集成電(diàn)路

1970年北京878厂、上无十九厂建成投资

1972年中國(guó)第一块PMOS型LSI電(diàn)路在四川永川一四二四研究成功

1976年中科(kē)院计算所采用(yòng)。中科(kē)院109厂研制成功1000万次大型電(diàn)子计算机

1980年中國(guó)第一条3英寸線(xiàn)在878厂投入运营

1982年中國(guó)成立電(diàn)子计算机和大规模的集成電(diàn)路领导小(xiǎo)组

1985年第一块64k DRAM在无锡國(guó)营742厂试制成功

1988年上无十四厂建成了我國(guó)4英寸線(xiàn)

1989年机電(diàn)部在无锡召开“85”集成電(diàn)路发展研究会，提出振兴集成電(diàn)路发展战略

1990年國(guó)務(wù)院实施“908”工程

1991年首都钢铁公司和日本“NEC”公司成立中外合资公司

1992年上海飞利浦公司建成我國(guó)第一条5英寸線(xiàn)

1993年第一块256k DRAM在中國(guó)华晶電(diàn)子集团研究成功

1994年首钢日電(diàn)公司建成了我國(guó)第一条6英寸線(xiàn)

1995年我國(guó)集中建设第一条8英寸線(xiàn)

1996年英特尔公司投资在上海建设封测厂

1997年由上海华虹集团与日本NEC公司合资组建上海华虹NEC電(diàn)子有(yǒu)限公司

1998年华晶与上华合作生产MOS圆片合约签订开始了中國(guó)大陆foundry的新(xīn)时代

1999年上海华虹NEC第一条8英寸生产線(xiàn)正式建设投资产

2000年中芯國(guó)际在上海成立

2002年“龙芯一号”研制成功

2003年台积電(diàn)有(yǒu)限公司落户上海

2004年中國(guó)大陆第一条12英寸線(xiàn)在北京投入生产

2006年成立國(guó)家重大科(kē)技项

2008年第一批45纳米产品成功通过良率通讯测试

2009年國(guó)家“核高基”重大专项进入申报与实施阶段

2011年“4号文(wén)”发印

2012年三星70亿美元一期投资闪存芯片落户于西安

2013年大陆IC设计公司近入10万亿美元俱乐部

2015年中芯國(guó)际28纳米产品实现产量

2016年第一台全部采用(yòng)國(guó)产处理(lǐ)器构建的超级计算机

2017年华為(wèi)发布麒麟970全區(qū)第一款人工智能(néng)芯片

2018年紫光产量32层3D  NAND（零突破）

2019年全球首款5G soC芯片海思麒麟990面世，采用(yòng)了全球先进的7纳米工艺。64层3D NAND实现产量。中芯國(guó)际14纳米工艺产量