電(diàn)路设计的发展历程

2020-03-03

1947年：贝尔实验室肖克莱等人发明了晶體(tǐ)管，这是微電(diàn)子技术发展中第一个里程碑； 

1950年：结型晶體(tǐ)管诞生；1950年： R Ohl和肖特莱发明了离子注入工艺 

1951 年：场效应晶體(tǐ)管发明 

  1956年：C S Fuller发明了扩散工艺； 

  1958年：仙童公司Robert Noyce与德仪公司基尔比间隔数月分(fēn)别发明了集成電(diàn)路，开创了世界微電(diàn)子學(xué)的历史

1960年：H H Loor和E Castellani发明了光刻工艺；   1962年：美國(guó)RCA公司研制出MOS场效应晶體(tǐ)管

1963年：和首次提出CMOS技术，95%以上的集成電(diàn)路芯片都是基于CMOS工艺；

1964年：Intel摩尔提出摩尔定律，预测晶體(tǐ)管集成度将会每18个月增加1倍

1966年：美國(guó)RCA公司研制出CMOS集成電(diàn)路，并研制出第一块门阵列

1967年：应用(yòng)材料公司成立，现已成為(wèi)全球最大的半导體(tǐ)设备制造公司； 

  1971年：Intel推出1kb动态随机存储器，标志(zhì)着大规模集成電(diàn)路出现；1971年：全球第一个微处理(lǐ)器4004Intel公司推出，采用(yòng)的是MOS工艺，这是一个里程碑式的发明

1974年：RCA公司推出第一个CMOS微处理(lǐ)器1802；   1976年：16kb DRAM和4kb SRAM问世；

1978年：64kb动态随机存储器诞生

1979年：Intel推出5mhz 8088微处理(lǐ)器，之后，IBM基于8088处理(lǐ)器基础上推出全球第一台PC

1981年256kb DRAM和64kb COMS SRAM问世

1984：日本推出1MB DRAM和256kb SRAM

1985年;80386微处理(lǐ)器问世  20MHZ

1988年：16M  DRAM问世

1989年：1MB DRAM近如市场

1992年：64M位随机存储器问世

1993年：66MHz奔腾处理(lǐ)器推出，采用(yòng)um工艺

1995年：Pentium Pro，133um，采用(yòng)um工艺

1997年300MHZ奔腾处理(lǐ)器问世，采用(yòng)um工艺