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行业资讯
单片机开发开关稳压器：当所有(yǒu)东西都在芯片上时
开关调节器可(kě)以整體(tǐ)或通过控制器构造。在一个单片开关稳压器，所述各功率开关，通常的MOSFET中，在单个硅芯片内集成。对于控制器，除了控制器IC外，还必须分(fēn)别选择和放置功率半导體(tǐ)。
MOSFET的选择是耗时的，需要一定的了解的的参数开关的，一些设计师不必处理(lǐ)使用(yòng)单片设计时。另外，与高度集成的解决方案相比，控制器解决方案通常在板上占用(yòng)更多(duō)的空间。
因此，这也难怪，在几年， ever-更多(duō)的开关稳压器已被单片执行。今天，有(yǒu)一个大的选择的西装能(néng)够提供解决方案，甚至对更高功率。图1示出了整體(tǐ)式的降压转换器上的左侧和一个控制器溶液上的右侧。
1.所示為(wèi)单片降压转换器（左）和带有(yǒu)外部开关的控制器解决方案（右）。
单片稳压器与控制器
而 单片 解决方案 需要更少的空间，并在设计过程被简化，一个优点一个的控制器解决方案是更灵活性。设计者可(kě)以选择最优化，应用(yòng)程序特定的可(kě)切换的控制器的解决方案，而且也进入门，用(yòng)于开关，使得开关的边缘被影响与聪明就业的无源部件。此外，控制器解决方案特别适合高功率 因為(wèi)大的离散开关可(kě)以被选择和切换损失消散从热分(fēn)离的控制器 IC。
但是，除了支持或反对 整體(tǐ)解决方案的这些众所周知的论点外，通常不会考虑另一方面。在开关稳压器中，所谓的热环路对于低辐射发射至关重要。在所有(yǒu)开关稳压器中，应尽可(kě)能(néng)优化EMC。一个用(yòng)于实现此的基本规则是，以最小(xiǎo)化寄生電(diàn)感中的各自的热循环。
在一个降压转换器，该路径之间的输入電(diàn)容器和所述高侧开关，所述高侧开关和低侧开关和所述低压侧开关之间的连接之间的连接和输入電(diàn)容器，是的一部分(fēn)热循环。它们是電(diàn)流路径，電(diàn)流以开关转换的速度变化。通过该快速電(diàn)流变化，電(diàn)压经由寄生電(diàn)感和可(kě)耦合到不同的電(diàn)路段作為(wèi)偏移形式的干扰。
因此，热回路中的这些寄生電(diàn)感必须保持尽可(kě)能(néng)低。图2示出了各热回路（红色）的一个路径单片式开关稳压上左侧和一个控制器溶液上的权利。我们可(kě)以看到有(yǒu)两个优点的单片SOLU重刑。
2.给出了单片式开关调节器（左）和带有(yǒu)控制器IC的解决方案（右）的热回路的几何布置。
首先，热循环小(xiǎo)于控制器的热循环。其次，之间的连接路径的高侧开关和低侧开关是非常短的并且只排到于硅。在比较，对于用(yòng)溶液的控制器IC，该连接的電(diàn)流路径必须通过寄生路由電(diàn)感的的包装，通常与寄生電(diàn)感从接合線(xiàn)和引線(xiàn)框架。这将导致一个更高的電(diàn)压偏移，并符合ingly，较差的EMC 行為(wèi)。
结果，单片开关稳压器在EMI方面提供了另一个鲜為(wèi)人知的优势。这种干扰有(yǒu)多(duō)高以及如何影响電(diàn)路取决于许多(duō)其他(tā)参数。但是，单片开关稳压器与带有(yǒu)控制器IC的解决方案在EMC行為(wèi)方面有(yǒu)所不同的基本思想值得考虑。