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技术专题
高速pcb设计(运算放大器)
尽管印刷電(diàn)路板(PCB)在高速電(diàn)路中具有(yǒu)重要的属性,但它的布局往往是设计过程中的最后一步。高速印刷電(diàn)路板(pcb電(diàn)路板)布局有(yǒu)很(hěn)多(duō)方面,本文(wén)从实用(yòng)的角度讨论高速布局问题。我们将讨论在提高電(diàn)路性能(néng)、减少设计时间等领域。
虽然重点是涉及高速运算放大器的電(diàn)路,但这里讨论的主题和技术通常适用(yòng)于大多(duō)数其他(tā)高速模拟電(diàn)路的布局。当运算放大器在高频工作时,電(diàn)路性能(néng)在很(hěn)大程度上取决于電(diàn)路板的布局。一个在纸上看起来不错的高性能(néng)電(diàn)路设计,在被粗心或草(cǎo)率的布局所阻碍时,最后呈现出平庸的性能(néng)。提前思考并在整个布局过程中注意突出的细节将有(yǒu)助于确保電(diàn)路按预期运行。
一、器件示意图
一个好的布局是从一个好的器件示意图开始的。在绘制器件示意图时要考虑周到和大方,并考虑通过電(diàn)路的信号流。一个从左到右自然而稳定的流程的器件示意图在板上也会有(yǒu)一个很(hěn)好的流程。在器件示意图上尽可(kě)能(néng)多(duō)地输入有(yǒu)用(yòng)的信息。从事此项工作的设计师、技术人员和工程师将非常感激。
除了通常的参考标志(zhì)、功耗和公差之外,器件示意图上还包含哪些信息?这里有(yǒu)一些建议,可(kě)以把一个普通的示意图变成一个超级示意图!添加波形、有(yǒu)关外壳或外壳的机械信息、轨迹長(cháng)度、隔离區(qū)域;指定哪些组件需要位于電(diàn)路板顶部;包括调谐信息、组件值范围、热信息、控制阻抗線(xiàn)、注释、简要電(diàn)路操作说明。
二、怀疑一切
如果你不做自己的布局,一定要留出足够的时间和布局人一起完成设计。此时有(yǒu)备无患!别指望版面设计人员能(néng)读懂你的心思。在布局过程的开始,您的输入和指导是关键的。你能(néng)提供的信息越多(duō),布局过程中参与的越多(duō),最后電(diàn)路板的性能(néng)就越好。制定一个布局进度表,在每个节点进行检查。这种“循环闭合”防止布局走得太遠(yuǎn),并将最小(xiǎo)化对板布局的返工。
你对设计者的指导应该包括:電(diàn)路功能(néng)的简要描述;显示输入和输出位置的電(diàn)路板草(cǎo)图;電(diàn)路板堆叠(即電(diàn)路板有(yǒu)多(duō)厚、有(yǒu)多(duō)少层、信号层和平面的详细信息、電(diàn)源、接地、模拟、数字和射频);每个電(diàn)路板上需要有(yǒu)哪些信号层;需要定位关键组件的位置;旁路组件的准确位置;哪些记录道是关键的;哪些線(xiàn)路需要控制阻抗線(xiàn);哪些線(xiàn)路需要匹配長(cháng)度;组件尺寸;哪些線(xiàn)路需要彼此遠(yuǎn)离(或靠近);哪些電(diàn)路需要彼此遠(yuǎn)离(或接近);哪些组件需要彼此靠近(或遠(yuǎn)离);哪些组件位于電(diàn)路板的顶部和底部。原则是能(néng)给出的信息越多(duō)越好。
三、定位
和房地产一样,位置决定一切。電(diàn)路放置在電(diàn)路板上的位置、单个電(diàn)路元件的位置以及附近的其他(tā)電(diàn)路都是关键。
通常情况下,输入、输出和電(diàn)源位置都是有(yǒu)定义的,但它们之间的关系是需要慎重对待的,这就是关注布局细节将产生明显效能(néng)的地方。从关键元件的放置开始,包括单个電(diàn)路和整个電(diàn)路板。从一开始就指定关键组件位置和信号路径,确保设计按预期进行,降低成本和压力,缩短周期。
四、旁路電(diàn)源
对于高速运算放大器和任何其他(tā)高速電(diàn)路,绕过放大器的電(diàn)源端子以最小(xiǎo)化噪声是PCB设计过程的一个关键方面。有(yǒu)两种常用(yòng)的绕过高速运算放大器的配置。
管脚接地:这种技术在大多(duō)数情况下最有(yǒu)效,它使用(yòng)多(duō)个并联電(diàn)容器,从运放的電(diàn)源引脚直接接地。通常,两个并联電(diàn)容器就足够了,但有(yǒu)些電(diàn)路可(kě)能(néng)会从并联的附加電(diàn)容器中受益。
并联不同的電(diàn)容值有(yǒu)助于确保電(diàn)源管脚在宽频带上看到低交流阻抗。这在运放電(diàn)源抑制(PSR)逐渐消失的频率下尤為(wèi)重要。電(diàn)容有(yǒu)助于补偿放大器的PSR下降。在多(duō)个的频率内保持低阻抗接地路径将防止不需要的噪声进入运放。图1显示了多(duō)个并联電(diàn)容器的优点。在较低的频率下,较大的電(diàn)容器提供一个低阻抗的接地路径。一旦这些電(diàn)容器达到自谐振,電(diàn)容质量下降,電(diàn)容器成為(wèi)電(diàn)感。这就是為(wèi)什么使用(yòng)多(duō)个電(diàn)容器很(hěn)重要的原因:当一个電(diàn)容器的频率响应衰减时,另一个電(diàn)容器的频率响应变得明显,从而在多(duō)个的频率内保持低交流阻抗。
(图1.電(diàn)容器阻抗与频率.)
直接从运放的電(diàn)源插脚开始;具有(yǒu)较低值和最小(xiǎo)物(wù)理(lǐ)尺寸的電(diàn)容器应与运放放放在電(diàn)路板的同一侧,并尽可(kě)能(néng)靠近放大器。電(diàn)容器的接地侧应以最小(xiǎo)的引線(xiàn)或迹線(xiàn)長(cháng)度连接到接地平面。该接地连接应尽可(kě)能(néng)靠近放大器的负载,以尽量减少引脚和接地之间的干扰。图2说明了这种技术。
(图2.并联電(diàn)容引脚对地旁路.)
下一个高值電(diàn)容应重复此过程。一个好的开始是0.01μF的最小(xiǎo)值,和2.2μF或更大的電(diàn)解低ESR為(wèi)下一个電(diàn)容器。0508外壳尺寸中的0.01μF具有(yǒu)低串联電(diàn)感和优异的高频性能(néng)。
轨对轨:另一种配置是使用(yòng)一个或多(duō)个旁路電(diàn)容器连接在运放的正负電(diàn)源轨之间。当電(diàn)路中的四个電(diàn)容都很(hěn)难得到时,通常使用(yòng)这种方法。这种方法的一个缺点是電(diàn)容器外壳尺寸可(kě)能(néng)变大,因為(wèi)通过電(diàn)容器的電(diàn)压是单電(diàn)源旁路方法的两倍。更高的電(diàn)压需要更高的击穿额定值,这转化為(wèi)更大的外壳尺寸。然而,此选项可(kě)以改善PSR和失真性能(néng)。
因為(wèi)每个電(diàn)路和布局都不同;電(diàn)容器的配置、数量和值由实际的電(diàn)路要求决定。
五、寄生效应
寄生效应会对你的電(diàn)路中造成严重破坏。它们是隐藏在高速電(diàn)路中的杂散電(diàn)容和電(diàn)感。它们包括由封装引線(xiàn)和多(duō)余的布線(xiàn)長(cháng)度形成的電(diàn)感器;焊盘对地、焊盘对電(diàn)源平面和焊盘对迹線(xiàn)電(diàn)容器;与过孔的相互作用(yòng),以及更多(duō)的可(kě)能(néng)性。图3(a)是一个典型的非旋转运放的示意图。然而,如果要考虑寄生元件,同一電(diàn)路将如图3(b)所示。
(图3.典型运算放大器電(diàn)路,按设计(a)和寄生(b).)
在高速電(diàn)路中,影响很(hěn)大,仅仅十分(fēn)之几皮卡就足够了。举例说明:如果在逆变输入端只存在1pf的附加杂散寄生電(diàn)容,则在频域内可(kě)能(néng)导致几乎2db的峰值(图4)。如果存在足够的電(diàn)容,它会导致不稳定和振荡。
(图4.寄生電(diàn)容引起的附加峰值.)
在寻找有(yǒu)问题的寄生来源时,一些计算这些寄生效应的基本公式可(kě)以派上用(yòng)场。公式1是平行板電(diàn)容器的公式(见图5)。
(公式1)
C為(wèi)電(diàn)容,A為(wèi)板面积,单位為(wèi)平方厘米,k為(wèi)板材料的相对介電(diàn)常数,d為(wèi)板间距离,单位為(wèi)厘米。
(图5.两个板之间的電(diàn)容.)
条带状電(diàn)感是另一个需要考虑的寄生因素,它是由線(xiàn)長(cháng)过長(cháng)和缺少接地平面引起的。公式2给出了跟踪電(diàn)感的公式。见图6。
(公式2)
W是道宽,L是道長(cháng),H是道厚。所有(yǒu)尺寸单位均為(wèi)毫米。
(图6.导線(xiàn)的電(diàn)感.)
图7中的振荡显示了2.54厘米的線(xiàn)長(cháng)对高速运放非垂直输入的影响。等效杂散電(diàn)感為(wèi)29nh(纳米能(néng)源),足以引起持续的低電(diàn)平振荡,并在整个瞬态响应期间持续存在。图中还显示了如何使用(yòng)地平面减轻杂散電(diàn)感的影响。
(图7.有(yǒu)无接地层的脉冲响应)
过孔是寄生的另一个来源;它们可(kě)以引入電(diàn)感和電(diàn)容。公式3是寄生電(diàn)感的公式(见图8)。
(公式3)
T是板的厚度和d是通孔的直径,单位是厘米。
(图8.过孔尺寸.)
公式4显示了如何计算通孔的寄生電(diàn)容(见图8)。
(公式4)
εr是板材的相对渗透率。T是板的厚度。D1是通孔周围衬垫的直径。D2是地平面上间隙孔的直径。所有(yǒu)尺寸均以厘米為(wèi)单位。0.157厘米厚的電(diàn)路板中的一个过孔可(kě)以增加1.2 nH的電(diàn)感和0.5 pF的電(diàn)容;这就是為(wèi)什么在布置電(diàn)路板时,必须小(xiǎo)心再小(xiǎo)心,以尽量减少寄生效应的渗透!
六、接地面
接地平面充当公共参考電(diàn)压,提供屏蔽,实现散热,并减少杂散電(diàn)感(但它也会增加寄生電(diàn)容)。虽然使用(yòng)接地平面有(yǒu)许多(duō)优点,但在实操时必须小(xiǎo)心,因為(wèi)它的效用(yòng)有(yǒu)局限性。
理(lǐ)想情况下,一层印刷電(diàn)路板应专用(yòng)于作為(wèi)接地面。一般是整个面是完整的。抵抗干扰,移除接地面上的其它線(xiàn),以便在此专用(yòng)层上没有(yǒu)其他(tā)信号。接地面通过导體(tǐ)和接地平面之间的磁场抵消来减小(xiǎo)轨迹線(xiàn)電(diàn)感。当地平面上的區(qū)域被移除时,意外的寄生電(diàn)感会被引入地平面上或下的轨迹中。
由于接地平面通常具有(yǒu)较大的表面和横截面积,因此接地平面中的電(diàn)阻保持在最小(xiǎo)值。在低频时,電(diàn)流的路径電(diàn)阻最小(xiǎo),而在高频时,電(diàn)流的路径電(diàn)阻最小(xiǎo)。
不过,也有(yǒu)例外,有(yǒu)时地平面越小(xiǎo)越好。如果将接地板从输入和输出垫板下拆下,高速运算放大器的性能(néng)会更好。输入端接地板引入的杂散電(diàn)容,加上运放的输入電(diàn)容,会降低相位裕度,并可(kě)能(néng)导致不稳定。正如寄生讨论中所见,运算放大器输入端的1 pF電(diàn)容可(kě)导致明显峰值。输出端的電(diàn)容性负载(包括偏离)在反馈回路中产生一个极点。这会降低相位裕度,并可(kě)能(néng)导致電(diàn)路变得不稳定。
模拟和数字電(diàn)路,包括接地和接地平面,应尽可(kě)能(néng)分(fēn)开。快速上升的边缘会在地平面中产生電(diàn)流尖峰。这些快速的電(diàn)流尖峰会产生噪声,破坏模拟性能(néng)。模拟和数字接地(和電(diàn)源)应连接在一个公共接地点,以尽量减少循环数字和模拟接地電(diàn)流和噪声。
在高频下,必须考虑一种叫做趋肤效应的现象。趋肤效应导致電(diàn)流在导體(tǐ)的外表面流动,实际上使导體(tǐ)变窄,从而从其直流值增加電(diàn)阻。虽然集肤效应超出了本文(wén)的范围,但铜的集肤深度(厘米)的一个很(hěn)好的近似值是
(公式5)
不易受影响的電(diàn)镀金属有(yǒu)助于减少皮肤效应。
七、封装
运算放大器通常以多(duō)种封装形式提供。选择的封装会影响放大器的高频性能(néng)。主要影响因素是寄生(前面提到过)和信号線(xiàn)迹。在这里,我们将着重于输入、输出和功率到放大器的路由。
图9说明了SOIC封装(a)中的运算放大器和SOT-23封装(b)中的运算放大器之间的布局差异。每种包装类型都有(yǒu)自己的特点。以(a)為(wèi)重点,对反馈路径的仔细检查表明,有(yǒu)多(duō)种反馈路由选择。保持反馈長(cháng)度短是最重要的。反馈中的寄生電(diàn)感会导致振铃和过冲。在图9(a)和9(b)中,反馈路径围绕放大器布線(xiàn)。图9(c)显示了在SOIC封装下路由反馈路径的另一种方法,该方法最小(xiǎo)化了反馈路径長(cháng)度。每个选项都有(yǒu)细微的差别。第一种选择可(kě)能(néng)导致多(duō)余的轨迹長(cháng)度,增加串联電(diàn)感。第二种选择使用(yòng)通孔,它可(kě)以引入寄生電(diàn)容和電(diàn)感。在布置板时,必须考虑这些寄生菌的影响和影响。SOT-23布局几乎是理(lǐ)想的:最小(xiǎo)的反馈轨迹長(cháng)度和过孔的使用(yòng);负载和旁路電(diàn)容器以短路径返回到同一接地连接;正轨電(diàn)容器(图9(b)中未显示)位于電(diàn)路板底部负轨電(diàn)容器的正下方。
(图9.运算放大器電(diàn)路的布局差异.(a) SOIC封装,(b)SOT-23,(b)带射频板下的SOIC.)
低失真放大器引脚:一种新(xīn)的低失真引脚,可(kě)在一些模拟设备运算放大器(例如AD8045)中使用(yòng),有(yǒu)助于消除上述两个问题;它还改善了其他(tā)两个重要领域的性能(néng)。如图10所示,LFCSP的低失真引脚,采用(yòng)传统的运算放大器引脚,逆时针旋转一个引脚,并添加第二个输出引脚作為(wèi)专用(yòng)反馈引脚。
(图10.带低失真引脚的运算放大器.)
低失真引脚允许输出(专用(yòng)反馈引脚)和反向输入之间的紧密连接,如图11所示。这大大简化和简化了布局。
(图11.AD8045低失真运算放大器的印刷電(diàn)路板布局.)
另一个好处是减少了二次谐波失真。传统运放引脚结构中二次谐波失真的一个原因是非垂直输入和负電(diàn)源引脚之间的耦合。LFCSP封装的低失真引脚消除了这种耦合,并大大降低了二次谐波失真;在某些情况下,降低可(kě)高达14分(fēn)贝。图12显示了AD8099 SOIC和LFCSP封装在失真性能(néng)上的差异。
这种封装在功耗方面还有(yǒu)另一个优势。LFCSP提供了一个暴露的桨叶,它降低了封装的热阻,并且可(kě)以将热阻提高约40%。由于其较低的热阻,该封装运行温度较低,因此可(kě)靠性较高
(图12.AD8099失真比较相同的运算放大器在SOIC和LFCSP封装.)
目前,三个模拟设备高速运算放大器可(kě)与新(xīn)的低失真引脚:AD8045,AD8099和AD8000。
八、布線(xiàn)和屏蔽
電(diàn)路板上有(yǒu)各种各样的模拟和数字信号,電(diàn)压和電(diàn)流从直流到千兆赫不等。防止信号相互干扰是很(hěn)困难的。
在電(diàn)路规划时就要要注意哪些信号是敏感的,并确定必须采取哪些步骤来保持其完整性。地平面為(wèi)電(diàn)信号提供了一个共同的参考点,它们也可(kě)用(yòng)于屏蔽。当需要信号隔离时,第一步应提供信号迹線(xiàn)之间的物(wù)理(lǐ)距离。以下是一些值得注意的良好做法:
1、尽量减少長(cháng)时间的平行运行和信号轨迹在同一块板上的接近,将减少電(diàn)感耦合。
2、最小(xiǎo)化相邻层上的長(cháng)轨迹将防止電(diàn)容耦合。
需要高隔离度的信号通道应在单独的层上布線(xiàn),如果它们不能(néng)完全保持距离,则应在地平面之间相互垂直。正交布線(xiàn)将使電(diàn)容耦合最小(xiǎo)化,接地将形成電(diàn)屏蔽。这项技术被用(yòng)于形成可(kě)控阻抗線(xiàn)。
高频(RF)信号通常在受控阻抗線(xiàn)上运行。也就是说,轨迹保持一个特性阻抗,例如50欧姆(在射频应用(yòng)中是典型的)。两种常见的控制阻抗線(xiàn),微带線(xiàn)和带状線(xiàn)都可(kě)以产生相似的结果,但实现方式不同。
微带控制阻抗線(xiàn),如图13所示,可(kě)以在電(diàn)路板的任一侧运行;它使用(yòng)紧靠其下方的接地平面作為(wèi)参考平面。
(图13.微带传输線(xiàn).)
公式6可(kě)用(yòng)于计算FR4板的特性阻抗。
(公式6)
H是从地平面到信号線(xiàn)的距离,W是線(xiàn)宽度,T是線(xiàn)厚度;所有(yǒu)尺寸单位為(wèi)mils。εr是PCB材料的介電(diàn)常数。
带状線(xiàn)控制阻抗線(xiàn)(见图14)使用(yòng)两层地平面,信号線(xiàn)夹在它们之间。这种方法使用(yòng)更多(duō)的通道,需要更多(duō)的板层,对介電(diàn)厚度变化敏感,而且成本更高,因此通常只在要求苛刻的应用(yòng)中使用(yòng)。
(图14.带状線(xiàn)控制阻抗線(xiàn).)
带状線(xiàn)的特性阻抗设计公式如公式7所示。
(公式7)
保护环,或称“保护”,是与运放一起使用(yòng)的另一种常见的屏蔽类型;它用(yòng)于防止杂散電(diàn)流进入敏感节点。其原理(lǐ)很(hěn)简单,就是用(yòng)保护导體(tǐ)完全包围敏感节点,保护导體(tǐ)与敏感节点保持在或驱动到(低阻抗)相同的電(diàn)位,从而从敏感节点吸收杂散電(diàn)流。图15(a)显示了反向和非反向运算放大器配置的保护环示意图。图15(b)显示了SOT-23-5包的两个保护环的典型实现。
(图15.护环.(a)反转和非反转操作.(b) SOT-23-5封装.)
屏蔽和布線(xiàn)还有(yǒu)许多(duō)其他(tā)选项,这里就不一一赘述了。
结论
電(diàn)路板布局是运放電(diàn)路设计成功的关键,特别是对于高速電(diàn)路。良好的電(diàn)路原理(lǐ)图是良好布局的基础;電(diàn)路设计者和布局设计者之间的紧密协调是必不可(kě)少的,尤其是关于零件和布線(xiàn)的位置。要考虑的主题包括電(diàn)源旁路、最小(xiǎo)化寄生、使用(yòng)接地平面、运放封装的效果以及布線(xiàn)和屏蔽的方法。