什么是 1N4732A 齐纳二极管：引脚配置及其工作原理(lǐ)

2021-09-10

什么是 1N4732A 齐纳二极管：引脚配置及其工作原理(lǐ)

阿齐纳二极管或击穿二极管是一种半导體(tǐ)器件的＆它在相反方向上操作。一旦其端子上的電(diàn)压升高，则電(diàn)位达到齐纳電(diàn)压，结点将击穿以允许電(diàn)流反向流动，因此这种效应称為(wèi)齐纳效应。本文(wén)概述了 1N4732A 齐纳二极管及其工作原理(lǐ)。

齐纳二极管中的電(diàn)流不仅从阳极端子流向阴极，而且在达到齐纳電(diàn)压时反向流动。因此，由于这种功能(néng)，这些半导體(tǐ)二极管最常用(yòng)于不同的应用(yòng)中。

什么是 1N4732A 齐纳二极管？

这款 1N4732A 齐纳二极管采用(yòng)通孔封装。这种二极管适用(yòng)于不同的電(diàn)路，如粗调压器和保护電(diàn)路。但是，请務(wù)必记住，在任何应用(yòng)中，该二极管都必须始终与齐纳電(diàn)阻连接。

1N4732A 齐纳二极管

1N4732A 4.7V齐纳二极管的工作電(diàn)压為(wèi)4.7V，与其他(tā)种类的齐纳二极管相比，它用(yòng)作電(diàn)压调节中的参考元件。所以它被用(yòng)于开关和限幅電(diàn)路的应用(yòng)中。

引脚配置

1N4732A 齐纳二极管引脚配置如下所示。该二极管包括两个引脚，下面讨论每个引脚及其功能(néng)。

1N4732A 引脚配置

Pin1（阳极）：電(diàn)流始终贯穿阳极

Pin2（阴极）：電(diàn)流始终流过阴极

特性和规格

1N4732A 齐纳二极管的特性和规格包括以下内容。

通孔型封装

可(kě)靠性高

操作二极管所需的電(diàn)压為(wèi) 4.7V

外壳类型為(wèi)Do-41玻璃

公差為(wèi) ± 5%

重量為(wèi) 0.35g

功耗為(wèi) 1.0 瓦

储存温度范围為(wèi) -65oC 至 175oC

特点是极其锐利的反转

齐纳電(diàn)流為(wèi) 10 uA

齐纳阻抗為(wèi) 8 欧姆

工作温度范围為(wèi) – 65 C 至 + 200 C

轴向端接方式

单一配置

310 毫克单位重量

测试電(diàn)流為(wèi) 53 mA

5.2 毫米長(cháng)

批量包装

反向電(diàn)流為(wèi) 10 uA

1N4732A系列

2.72 毫米直径

替代齐纳二极管是 5.1V 齐纳、7.5V 齐纳、6.8V 齐纳和 15V 齐纳

如何选择齐纳二极管？

与普通整流二极管相比，齐纳二极管是一种二极管，但用(yòng)于完全不同的目的。这些二极管用(yòng)于不同的電(diàn)路，如原始電(diàn)压调节器和保护。

在选择齐纳二极管之前，我们需要為(wèi)您的应用(yòng)考虑不同的参数。像功耗和齐纳電(diàn)压。一旦给它一个高反向電(diàn)位電(diàn)压，齐纳電(diàn)压主要出现在二极管两端。

稳压器電(diàn)路内的齐纳電(diàn)压将被调整，而在保护電(diàn)路中，与保护電(diàn)路相比，该電(diàn)压较高。功率耗散将决定流经二极管的電(diàn)流量。当功耗很(hěn)高时，電(diàn)流就会很(hěn)大。

如何使用(yòng) 1N4732A 齐纳二极管

我们已经讨论过齐纳二极管主要用(yòng)于各种電(diàn)路，如保护和简单的稳压器電(diàn)路，但该二极管必须与電(diàn)路内的齐纳電(diàn)阻器一起使用(yòng)。

此处，齐纳電(diàn)阻器是普通電(diàn)阻器，用(yòng)于限制電(diàn)路内的電(diàn)流供应。该電(diàn)阻的主要功能(néng)是决定整个二极管的電(diàn)流供应量，否则连接到该二极管的负载。因此，通过这种方式，该二极管将免受巨大電(diàn)流的影响。如果齐纳電(diàn)阻器不与齐纳二极管一起使用(yòng)，则二极管可(kě)能(néng)会损坏。

1N4732A 齐纳二极管電(diàn)路图

1N4732A齐纳二极管的应用(yòng)電(diàn)路如下图所示。使用(yòng) 1N4732A 齐纳二极管的 DC Adapter 等应用(yòng)電(diàn)路如上图所示。该電(diàn)路使用(yòng)的電(diàn)源取自汽車(chē)電(diàn)池。

带有(yǒu) 1N4732A 齐纳二极管的汽車(chē)直流适配器電(diàn)路

该電(diàn)路适用(yòng)于齐纳二极管的稳压器的操作。该電(diàn)路提供的输出稳定在 4.7V 左右。该電(diàn)路所需的元件主要包括 TIP 122、1N4007、1N4732A、470Ω 1W — 1、100 µF、470 µF 和 2A 保险丝。

提供给该電(diàn)路的電(diàn)源可(kě)以取自汽車(chē)電(diàn)池。但不同汽車(chē)的電(diàn)池容量和额定值可(kě)能(néng)不同。因此，2A 保险丝主要用(yòng)于限制電(diàn)路中的最高電(diàn)流。

这里，電(diàn)池電(diàn)源直接提供给 TIP122 晶體(tǐ)管的集電(diàn)极端子，也通过齐纳電(diàn)阻提供给二极管的阴极端子。在这里，在晶體(tǐ)管的发射极端处连接一个二极管以获得输出。

汽車(chē)直流适配器電(diàn)路工作

简单的汽車(chē)直流适配器電(diàn)路设计用(yòng)于在汽車(chē)電(diàn)池的帮助下為(wèi)手机充電(diàn)。根据上述電(diàn)路，给出了连接。電(diàn)池的 o/p 電(diàn)压范围為(wèi) 12V – 13.5V。

電(diàn)路式保险丝中的保护装置会限制最大2A的负载電(diàn)流。该電(diàn)路使用(yòng)具有(yǒu) 4.7V 反向击穿電(diàn)压的 1N4732A 齐纳二极管。

因此，二极管两端的電(diàn)压将是稳定的。一旦在 TIP122 晶體(tǐ)管的基极端子上施加此電(diàn)压，它将被激活，o/p 将是恒定的 4.7V。

在上述電(diàn)路中，電(diàn)流大约為(wèi) 15mA，这是非常小(xiǎo)的。所以这不足以给手机電(diàn)池充電(diàn)。為(wèi)了增加電(diàn)路内的電(diàn)流，我们需要分(fēn)析齐纳電(diàn)阻器和齐纳二极管的额定功率。

因此，可(kě)以使用(yòng)一些值（例如 12V 输入和 4.7 V 输出）进行简单计算。如果我们要求的 o/p 電(diàn)流為(wèi) 300mA，则電(diàn)路内的電(diàn)流必须约為(wèi) 330mA。
齐纳電(diàn)阻可(kě)以计算為(wèi) Zr = (12– 4.7) V / 330mA = 22.1ohms。因此，应选择 22 欧姆齐纳電(diàn)阻器。对于稳压二极管的额定功率，二极管的击穿電(diàn)压為(wèi) 4.7V，電(diàn)路内的最大電(diàn)流约為(wèi) 330mA。

在这里，齐纳二极管的额定功率可(kě)以像击穿電(diàn)压乘以最大電(diàn)流一样进行测量。因此，齐纳二极管的额定功率為(wèi) 4.7V x 330 mA = 1.55Watts。因此，最好使用(yòng) 2W 齐纳二极管进行保护。

当電(diàn)路内的電(diàn)流增强时，電(diàn)阻器以外的压降也会增加。電(diàn)阻器的额定功率也非常重要。

如果施加在電(diàn)路上的電(diàn)压為(wèi) 12V，二极管的击穿電(diàn)压為(wèi) 4.7V，则電(diàn)阻器外的压降约為(wèi) 7.3V。電(diàn)路中假定的最大電(diàn)流约為(wèi) 330mA。结果，電(diàn)阻器的额定功率按如下方式测量。

齐纳電(diàn)阻的额定功率為(wèi) 7.3V x 330mA => 2.4W。因此，应选择 3W 電(diàn)阻。

在哪里使用(yòng)/应用(yòng)

1N4732A 齐纳二极管用(yòng)于不同的应用(yòng)，包括以下应用(yòng)。

这种多(duō)稳压二极管用(yòng)在電(diàn)压保护電(diàn)路中

它可(kě)以像一个较小(xiǎo)的電(diàn)流電(diàn)压调节器一样使用(yòng)

它為(wèi) IC 或微控制器的输入電(diàn)压提供保护

用(yòng)于稳压電(diàn)路

因此，这完全是关于 1N4732A 齐纳二极管的概述。一般齐纳二极管為(wèi)PN结半导體(tǐ)二极管，工作在反向偏压状态。然而，在反向偏置条件下连接的普通PN结二极管实际上不像齐纳二极管那样被使用(yòng)。因此，这是一种高度掺杂且专门设计的 PN 结二极管。这是一个问题，齐纳二极管的缺点是什么？