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技术专题
如何在STM32系统中保护数据免受断電(diàn)影响
在嵌入式设备的开发中，断電(diàn)时通常需要保存一些非易失性数据。如果添加了系统配置，用(yòng)户定义的信息等，并且添加了额外的ROM IC（例如基于I2C的24C02等），则额外的PCB空间将增加，硬件成本将增加，并且产品将减少。如果仅从实用(yòng)角度出发，在诸如STM32系统的应用(yòng)中，作者建议可(kě)以尝试以下两种方法并作為(wèi)参考。
基于备份寄存器
原理(lǐ)：对于大容量MCU系列，它具有(yǒu)42个16位备份寄存器，而中小(xiǎo)型微处理(lǐ)器仅具有(yǒu)10个16位备份寄存器。以stm32f103c8t6為(wèi)例，这42个备份寄存器的地址偏移量為(wèi)：0x04〜0x28、0x40〜0xbc，可(kě)以存储84个字节的数据。备用(yòng)寄存器取决于备用(yòng)電(diàn)源。当外部VDD掉電(diàn)时，只要系统的Vbat可(kě)以正常存在，Bakeup domaain寄存器的内容就可(kě)以正常保存。
软件编程的要点如下：以一个项目中常用(yòng)的案例為(wèi)例
函数初始化：
读取备份寄存器：void BKP_ WriteBackupRegister（uint16_ t BKP_ DR，uint16_ t Data）
读取备份寄存器：uint16_ t BKP_ ReadBackupRegister（uint16_ t BKP_ DR）
此方法简单明了，但由于缺少可(kě)用(yòng)空间，因此仅适用(yòng)于保存少量数据，例如用(yòng)户在可(kě)穿戴设备中的通用(yòng)配置数据。
基于内部闪存
原理(lǐ)：闪存，也称為(wèi)闪存，也是可(kě)以重写的存储器。它分(fēn)為(wèi)nor flash和NAND flash。闪存通常不用(yòng)于代码存储场合，例如嵌入式控制器中的程序存储空间。而NAND闪存通常用(yòng)于大数据存储场合，例如U盘和固态硬盘，它们通常是NAND闪存类型。
在STM32芯片中，闪存的读写单位均基于“页面”。以stm32f103c8t6為(wèi)例，每页大小(xiǎo)為(wèi)2K字节；
软件编程要点
释放写保护释放：此方法基于以下前提：允许当前的读写Flash，并且允许当前的Flash进行写操作。因此，目前暂时不讨论某些API，例如optionbytes操作和flash读写保护操作。
Flashwrite：单个uint32_
T数据写入的简单流程图如下：
Flashread：对于单个int数据读取，它相对简单，可(kě)以通过以下语句完成：rddata =（*（）__
IOuint32_ t *）dataAddr）；
由于SW中涉及许多(duō)API，并且编码人员还需要理(lǐ)解许多(duō)其他(tā)背景知识，因此使用(yòng)此方法相对复杂。但是，由于数据保存在页面中，因此页面大小(xiǎo)最大為(wèi)2048字节，因此该方法可(kě)用(yòng)于保存掉電(diàn)时不容易丢失的大数据。考虑到闪存读写保护的逻辑机制，最好在不考虑数据安全性的情况下使用(yòng)此方法。
对于这种断電(diàn)保护数据方法，这里只是丢砖引玉，欢迎您提出更好的方案。